Автор: norAdmin

Аннотация:
Ключевые слова:

Аннотация:
Ключевые слова:

Аннотация:
Ключевые слова:

А.С. Антонов¹, Н.Ю. Сдобняков¹, В.А. Анофриев¹, М.С. Афанасьев^2,3, Е.М. Семенова¹, В.В. Макаев^1
1 ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
² ФГБОУ ВО «МИРЭА – Российский технологический университет»
³ Фрязинский филиал ФГБУН «Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН»

Аннотация: Наноразмерные пленки железа различной толщины и на разныхпространственных масштабах изучены  с помощью двух альтернативных методов: атомно-силовой микроскопии и сканирующей туннельной микроскопии. Выявлено, что морфология поверхности и фрактальная размерность зависят не только от толщины пленки, но и от условий осаждения, и последующей цифровой обработки. Сделан вывод о том, что поверхность имеет сильно развитый рельеф, что отвечает наличию высоких значений фрактальной размерности. Выдвинута гипотеза о том, что присутствие оксидов железа на поверхности исследуемых образцов существенно влияет на их морфологию, способствуя формированию сложного и высокоразвитого рельефа. Эти оксиды приводят к образованию структурных неоднородностей, что приводит к наблюдению на поверхности пленки агломератов с достаточно широким диапазоном значений фрактальной размерности (от 2,49 до 2,94), т.е. оксиды способствуют агрегации частиц, создавая более сложную структуру поверхности. Кроме того, метод выделения агломератов позволил фиксировать увеличение величиныфрактальной размерности, что  говорит об эффективности выделения и изучения отдельных сложных по структуре объектов поверхности. Таким образом, для наноразмерных пленок железа становится важным учет эффектов  окисления иагломерации элементов поверхности при их анализе и выборе способа получения для выявления структур с определенным значением фрактальной размерности.
Ключевые слова: атомно-силовая микроскопия, сканирующая туннельная микроскопия, магнетронное напыление, фрактальная размерность, пленки железа

Е.В. Барабанова, Н.М. Оспельников, А.И. Иванова
ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»

Аннотация: Введение легирующих примесей является классическим способом модификации свойств материалов, в частности, сложных оксидов семейства перовскита с общей формулой АВО₃. Замещаются ионы, находящиеся в позициях А и/или В. При этом валентность их может совпадать с валентностью основного иона (изовалентное замещение) или отличаться (гетеровалентное замещение). Ниобат натрия (NaNbO₃) является удобной основой для создания сегнетоэлектрических твердых растворов. При легировании его свойства варьируются в широком диапазоне, позволяя создавать функциональные материалы для различных приложений. В работе проведено исследование влияния примеси висмута Bi³⁺ при замещении иона ниобия Nb⁵⁺ на структуру и электрофизические свойства ниобата натрия. Показано, что для таких составов характерно значительное увеличение электропроводности с ростом концентрации примеси, понижение температуры Кюри и изменение зеренной структуры. Концентрация примеси более 10 мол.% приводит к формированию вторичных фаз.
Ключевые слова: ионная проводимость, сегнетоэлектрические твердые растворы, ниобат натрия, диэлектрическая проницаемость

В.П. Безверхний, А.Ю. Гагарина, Е.Н. Муратова, А.И. Максимов, В.А. Мошников
ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»

Аннотация: В рамках исследовательской работы методом горячей инжекции были получены неорганические свинец-содержащие галогенидные перовскитные нанокристаллы со структурой CsPbX₃. Легирование нанокристаллов перовскитов осуществлялось растворными методами, в качестве легирующей примеси выступали ионы цинка и индия. Были исследованы спектры фотолюминесценции и спектры оптической плотности полученных коллоидных растворов. Исследования показали, что легирование перовскитных нанокристаллов ионами металлов приводит к усилению фотолюминесценции и сдвигу максимума спектра фотолюминесценции относительно эталонного состава на 4 и 12 нм для бромидов и йодидов соответственно. Также было показано, что величина сдвига не зависит от типа легирующей примеси. При этом отмечается, что в рамках данной работы легирование не приводит к изменению положения края собственного поглощения.
Ключевые слова: перовскиты, солнечная энергетика, нанокристаллы, легирование, оптические свойства

Л.А. Бобрева¹, Р.А. Титов¹, М.В. Смирнов¹, И.В. Бирюкова¹, С.М. Маслобоева¹, А.Ю. Пятышев², Н.В. Сидоров¹, М.Н. Палатников^1
1 Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева – обособленное подразделение ФГБУН Федерального исследовательского центра «Кольский научный центр РАН»
² ФГБУН «Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН»

Аннотация: Методами спектроскопии инфракрасного поглощения в области валентных колебаний ОН⁻-групп и спектроскопии комбинационного рассеяния света выполнены сравнительные исследования кристаллов двойного легирования LiNbO₃:Er:Zn разного генезиса: кристалла LiNbO₃:Er (0,53 мол.%):Zn(4,02 мол.%), полученного методом твердофазного легирования, и кристалла LiNbO₃:Er (0,75 мол.%):Zn(3,82 мол.%), полученного методом гомогенного легирования. На инфракрасных спектрах поглощения обнаружены небольшие изменения основных параметров полос поглощения с частотами 3483 и 3492 см^-1, что может быть связано с большей концентрацией легирующей примеси цинка в кристалле LiNbO₃:Er (0,53 мол.%):Zn(4,02 мол.%). По изменению параметра полуширины линии с частотой 271 см^-1 в спектрах комбинационного рассеяния света исследованных кристаллов установлено, что кристалл LiNbO3:Er (0,53 мол.%):Zn(4,02 мол.%) обладает более высоким упорядочением структурных единиц катионной подрешётки, по сравнению с кристаллом LiNbO3:Er (0,75 мол.%):Zn(3,82 мол.%).
Ключевые слова: ниобат лития, твердофазное легирование, гомогенное легирование, эрбий, цинк, двойное легирование, комбинационное рассеяние света, комплексные дефекты, инфракрасная спектроскопия

Л.А. Бобрева¹, Р.А. Титов¹, М.В. Смирнов¹, И.В. Бирюкова¹, С.М. Маслобоева¹, А.Ю. Пятышев², О.В. Палатникова¹, Н.В. Сидоров¹, М.Н. Палатников^1
1 Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева – обособленное подразделение ФГБУН ФИЦ «Кольский научный центр РАН»
² ФГБУН «Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН»

Аннотация: Выполнен сравнительный анализ фотолюминесцентных свойств, концентрации ОН^—-групп и оптического качества кристаллов двойного легирования LiNbO₃:Er:Zn, полученных из шихты разного генезиса. В кристалле, полученном методом твердофазного легирования LiNbO₃:Er(0,53 мол.%):Zn(4,02 мол.%), содержание ОН^—-групп выше, чем в кристалле LiNbO₃:Er(0,75 мол.%):Zn(3,82 мол.%), полученном методом гомогенного легирования. Данные изменения происходят вследствие одновременного формирования в структуре кристалла LiNbO₃:Er(0,53 мол.%):Zn(4,02 мол.%) двух видов комплексных дефектов: Zn_Nb^3--OH и V_Li-OH. Показано, что в кристалле LiNbO₃:Er(0,75 мол.%):Zn(3,82 мол.%) наблюдается девиация оптической плотности. Установлено, что фотолюминесценция в видимой области обусловлена излучательными переходами иона Er³⁺ без проявления собственной люминесценции матрицы в исследуемых кристаллов. Для кристалла LiNbO₃:Er:Zn, полученного методом твердофазного легирования, интенсивность люминесценции на 77% выше, чем в кристалле, полученного методом гомогенного легирования, что может быть обусловлено участием ОН^—-групп в передаче энергии между матрицей и ионами Er³⁺.
Ключевые слова: ниобат лития, двойное легирование, фотолюминесценция, гидроксильные группы, редкоземельная и нефоторефрактивная примесь, точечные и комплексные дефекты

Н.Н. Большакова¹, А.И. Иванова¹, Н.Ю. Дружинина², Е.М. Семенова¹, С.С. Шипилов^1
1 ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
² ФГКВОУ ВО «Военная академия воздушно-космическая обороны им. Маршала Советского Союза Г.К. Жукова» Минобороны РФ

Аннотация: В работе представлены результаты экспериментального исследования диэлектрических и переключательных характеристик исходных и отожженных аланинсодержащих кристаллов группы триглицинсульфатов при комнатной температуре. Приведены результаты измерений и расчета эффективной диэлектрической проницаемости, переключаемой поляризации, коэрцитивного поля и поля смещения, коэффициента униполярности и тангенса угла диэлектрических потерь. Установлено, что для большинства образцов до и после отжига петли диэлектрического гистерезиса униполярны и смещены по оси абсцисс, что свидетельствует о преимущественной ориентации доменов и наличии полей смещения. В результате отжига величины коэрцитивного поля и коэффициента униполярности кристаллов уменьшаются, а переключаемой поляризации возрастают. Показано, что полевые зависимости эффективной диэлектрической проницаемости кристаллов до отжига имеют экстремумы, лежащие в интервале полей (5-7,5)∙10⁴ В∙м^-1, а после их отжига – (5-12)∙10⁴ В∙м^-1.
Ключевые слова: триглицинсульфат, гистерезисные свойства, переключаемая поляризация, диэлектрическая проницаемость

А.М. Гусева, А.И. Синкевич, С.Д. Сметанникова, Е.М. Семенова, Ю.Г. Пастушенков
ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»

Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования магнитной доменной структуры на базисной плоскости монокристаллов RFe₁₁Ti (R=Y, Gd, Ho, Er) методом магнитно-силовой микроскопии. При комнатной температуре соединения характеризуются магнитокристаллической анизотропией типа «ось легкого намагничивания». На основе данных магнитно-силовой микроскопии определены параметры дополнительных доменов на базисной плоскости образцов. С помощью метода Боденбергера–Хуберта по данным магнитно-силовой микроскопии определены величины поверхностной плотности энергии доменных границ γ для всех составов: YFe₁₁Ti – 4,05 мДж/м², GdFe₁₁Ti – 5,93 мДж/м², HoFe₁₁Ti – 4,97 мДж/м², ErFe₁₁Ti – 2,98 мДж/м². Методом подсчета кубов рассчитаны значения фрактальной размерности DL полей рассеяния доменной структуры на разной высоте от поверхности (0,1 – 9 мкм). D_L на поверхности шлифов имеет значения 2,62 для соединений c R = Y, Gd, Ho и 2,72 – для R=Er. Для всех образцов D_L максимальна вблизи поверхности.
Ключевые слова: редкоземельные интерметаллиды, доменная структура, магнитно- силовая микроскопия, фрактальная размерность