Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов
Основан в 2009 году


Диэлектрическая релаксация в слоях POR — Si в области низких частот

Ю.М. Спивак1, Р.А. Кастро2, М.П. Севрюгина3, М.А. Кузнецова1, В.А. Мошников1

1ФГАОУ ВО «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина)»
2ФГБОУ ВО «Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена»
3АО «Адмиралтейские верфи»

DOI: 10.26456/pcascnn/2020.12.170

Аннотация. Методом электрохимического анодного травления получен макропористый кремний с высокоомным мезопористым наноструктурированным «скин»-слоем на поверхности. Измерения частотных зависимостей диэлектрических коэффициентов полученных слоев пористого Si выполнены в частотном интервале 5∙10-3 < f < 106 Гц при температуре 295 К и приложенном напряжении 1 В. Выявлен максимум тангенса угла диэлектрических потерь, который, наиболее вероятно, обусловлен преобладанием дипольно-релаксационного механизма поляризации. Обнаружено распределение релаксаторов по временам релаксации, предложена интерпретация полученных результатов с точки зрения строения пористого слоя.

Ключевые слова: пористый кремний, наноструктурированный слой, импеданс, интерфейс, диэлектрическая релаксация, низкочастотная диэлектрическая спектроскопия, ионно-электронной микроскопия.

Библиографическая ссылка:

Спивак, Ю.М. Диэлектрическая релаксация в слоях POR — Si в области низких частот / Ю.М. Спивак, Р.А. Кастро, М.П. Севрюгина, М.А. Кузнецова, В.А. Мошников // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. — 2020. — Вып. 12. — С. 170-179. DOI: 10.26456/pcascnn/2020.12.170.

Полный текст: загрузить PDF файл

Комментарии отключены.