Наноструктуры как материал для фазо-инверсной памяти

Ю.Я. Гафнер, С.Л. Гафнер, Л.В. Редель
ФГБОУ ВО «Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова»

DOI: 10.26456/pcascnn/2018.10.210

Аннотация: Несмотря на длительные исследования до сих пор в современных схемах PCM памяти используют в основном только халькогенидные сплавы. Однако эволюция методики создания новейших энергонезависимых массивов информации требует иных технических решений, в частности возможного применения в РСМ памяти металлических нанокластеров относительно малого размера.
Ключевые слова: фазовые переходы, ячейки памяти, наноструктуры.

Библиографическая ссылка:
Гафнер, Ю.Я. Наноструктуры как материал для фазо-инверсной памяти / Ю.Я. Гафнер, С.Л. Гафнер, Л.В. Редель // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов: межвуз. сб. науч. тр. / под общей редакцией В.М. Самсонова, Н.Ю. Сдобнякова. – Тверь: Твер. гос. ун-т, 2018. – Вып. 10. – С. 210-218.

Полный текст: загрузить PDF файл