Межвузовский сборник научных трудов «Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов»
Основан в 2009 году


Разработка математической модели процесса сбора заряда и формирования спектра в детекторах на основе CdTe (CdZnTe) при облучении гамма-квантами

А.А. Смирнов1, И.А. Каплунов2, А.А. Ольнев1, А.Н. Никифорова1
1АО «Институт физико-технических проблем»
2ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»

DOI: 10.26456/pcascnn/2017.9.465

Аннотация: Рассмотрены особенности формирования спектра в детекторах на основе CdTe (CdZnTe) при облучении гамма-квантами. Определены основные характеристики исходного материала полупроводникового детектора, определяющие его спектрометрические свойства – энергетическое разрешение и эффективность регистрации, которые выводятся из функции отклика. Результаты положены в основу физико-математической модели работы полупроводниковых детекторов на основе CdTe (CdZnTe) и применены при разработке портативного спектрометра СЕГ-ТК-1К для регистрации гамма-квантов в широком энергетическом диапазоне.
Ключевые слова: полупроводниковые детекторы, теллурид кадмия, рентгеновская и гамма-спектроскопия.

Библиографическая ссылка:
Смирнов, А.А. Разработка математической модели процесса сбора заряда и формирования спектра в детекторах на основе CdTe (CdZnTe) при облучении гамма-квантами / А.А. Смирнов, И.А. Каплунов, А.А. Ольнев, А.Н. Никифорова // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов: межвуз. сб. науч. тр. / под общей редакцией В.М. Самсонова, Н.Ю. Сдобнякова. – Тверь: Твер. гос. ун-т, 2017. – Вып. 9. – С. 465-474.

Полный текст: загрузить pdf файл

A mathemetical model of the charge accumulation and the spectrum formation in detectors on the basis of CdTe (CdZnTe) at the gamma-quanta irradiation

A.A. Smirnov1, I.A. Kaplunov2, A.A. Ol’nev1, A.N. Nikiforova1
1Institute of Physical and Technical Problems
2Tver State University

DOI: 10.26456/pcascnn/2017.9.465

Abstract: The features of spectrum formation in CdTe (CdZnTe) detectors under gamma quanta radiation are presented. The main characteristics of a semiconductor detector, i.e. the energy resolution and the registration efficiency, are determined. The results can be used as a basis for physical and mathematical models of operation of CdTe (CdZnTe) semiconductor detectors for registration of gamma- and x-ray radiation over a wide energy range.
Keywords: semiconductor detectors, cadmium telluride.

Bibliography link:
Smirnov, A.A. A mathemetical model of the charge accumulation and the spectrum formation in detectors on the basis of CdTe (CdZnTe) at the gamma-quanta irradiation / A.A. Smirnov, I.A. Kaplunov, A.A. Ol’nev, A.N. Nikiforova // Physical and chemical aspects of the study of clusters, nanostructures and nanomaterials: Interuniversity collection of proceedings / Ed. by V.M. Samsonov, N.Yu. Sdobnyakov. – Tver: TSU, 2017. – I. 9. – P. 465-474.

Full text (in Russian): download pdf file

Комментарии отключены.