Разработка математической модели процесса сбора заряда и формирования спектра в детекторах на основе CdTe (CdZnTe) при облучении гамма-квантами
А.А. Смирнов1, И.А. Каплунов2, А.А. Ольнев1, А.Н. Никифорова1
1АО «Институт физико-технических проблем»
2ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
DOI: 10.26456/pcascnn/2017.9.465
Аннотация: Рассмотрены особенности формирования спектра в детекторах на основе CdTe (CdZnTe) при облучении гамма-квантами. Определены основные характеристики исходного материала полупроводникового детектора, определяющие его спектрометрические свойства – энергетическое разрешение и эффективность регистрации, которые выводятся из функции отклика. Результаты положены в основу физико-математической модели работы полупроводниковых детекторов на основе CdTe (CdZnTe) и применены при разработке портативного спектрометра СЕГ-ТК-1К для регистрации гамма-квантов в широком энергетическом диапазоне.
Ключевые слова: полупроводниковые детекторы, теллурид кадмия, рентгеновская и гамма-спектроскопия.
Библиографическая ссылка:
Смирнов, А.А. Разработка математической модели процесса сбора заряда и формирования спектра в детекторах на основе CdTe (CdZnTe) при облучении гамма-квантами / А.А. Смирнов, И.А. Каплунов, А.А. Ольнев, А.Н. Никифорова // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов: межвуз. сб. науч. тр. / под общей редакцией В.М. Самсонова, Н.Ю. Сдобнякова. – Тверь: Твер. гос. ун-т, 2017. – Вып. 9. – С. 465-474.
Полный текст: загрузить pdf файл