Диэлектрические и фотовольтаические свойства гетеростуктур SiC / Si
О.Н. Сергеева1,4, А.В. Солнышкин1, С.И. Гудков1, С.А. Кукушкин2, И.П. Пронин3, Г.М. Некрасова4
1ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
2ФГБУН «Институт проблем машиноведения РАН»
3ФГБУН «Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе РАН»
4ФГБОУ ВО «Тверская государственная сельскохозяйственная академия»
DOI: 10.26456/pcascnn/2017.9.435
Аннотация: В работе представлены результаты исследования диэлектрических и фотовольтаических свойств гетероструктур SiC / Si c различным типом проводимости кремниевых подложек. Показано, что при их облучении электромагнитным излучением в диапазоне длин волн 400 — 980 нм возникают стационарные фотовольтаические отклики, фаза которых зависит от направления скачка емкости на C — V характеристиках. Обсуждаются возможные механизмы возникновения фотовольтаических явлений в гетроструктурах SiC / Si.
Ключевые слова: гетероструктуры SiC / Si, дилатационный диполь, наноразмерный карбид кремния, фотовольтаический отклик.
Библиографическая ссылка:
Бабуркин, П.О. Диэлектрические и фотовольтаические свойства гетеростуктур SiC / Si / П.О. Бабуркин, А.В. Лебедев, П.В. Комаров // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов: межвуз. сб. науч. тр. / под общей редакцией В.М. Самсонова, Н.Ю. Сдобнякова. – Тверь: Твер. гос. ун-т, 2017. – Вып. 9. – С. 435-441.
Полный текст: загрузить pdf файл