Межвузовский сборник научных трудов «Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов»
Основан в 2009 году


Диэлектрические и фотовольтаические свойства гетеростуктур SiC / Si

О.Н. Сергеева1,4, А.В. Солнышкин1, С.И. Гудков1, С.А. Кукушкин2, И.П. Пронин3, Г.М. Некрасова4
1ФГБОУ ВО «Тверской государственный университет»
2ФГБУН «Институт проблем машиноведения РАН»
3ФГБУН «Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе РАН»
4ФГБОУ ВО «Тверская государственная сельскохозяйственная академия»

DOI: 10.26456/pcascnn/2017.9.435

Аннотация: В работе представлены результаты исследования диэлектрических и фотовольтаических свойств гетероструктур SiC / Si c различным типом проводимости кремниевых подложек. Показано, что при их облучении электромагнитным излучением в диапазоне длин волн 400 — 980 нм возникают стационарные фотовольтаические отклики, фаза которых зависит от направления скачка емкости на C — V характеристиках. Обсуждаются возможные механизмы возникновения фотовольтаических явлений в гетроструктурах SiC / Si.
Ключевые слова: гетероструктуры SiC / Si, дилатационный диполь, наноразмерный карбид кремния, фотовольтаический отклик.

Библиографическая ссылка:
Бабуркин, П.О. Диэлектрические и фотовольтаические свойства гетеростуктур SiC / Si / П.О. Бабуркин, А.В. Лебедев, П.В. Комаров // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов: межвуз. сб. науч. тр. / под общей редакцией В.М. Самсонова, Н.Ю. Сдобнякова. – Тверь: Твер. гос. ун-т, 2017. – Вып. 9. – С. 435-441.

Полный текст: загрузить pdf файл

Dielectric and photovoltaic properties of heterostructure SiC / Si

O.N. Sergeeva1,4, A.V. Solnyshkin1, S.I. Gudkov1, S.A. Kukushkin2, I.P. Pronin3, G.M. Nekrasova4
1Tver State University
2Institute of Problems of Mechanical Engineering RAS
3Ioffe Institute
4Tver State Agricultural Academy

DOI: 10.26456/pcascnn/2017.9.435

Abstract: The paper presents the results of a study of dielectric and photovoltaic properties of heterostructures SiC / Si with different conductivity type of silicon substrates. The stationary photovoltaic responses of the structures were observed under electromagnetic radiation in the wavelength range from 400 — 980 nm. It is shown that the phase of photovoltaic responses depends on the capacitance jump in C — V characteristics. Possible mechanisms of the photovoltaic phenomena in heterostructures SiC / Si are discussed.
Keywords: SiC / Si  heterostructures, dilatation dipole, nanosized silicon carbide, photovoltaic response.

Bibliography link:
Sergeeva, O.N. SDielectric and photovoltaic properties of heterostructure SiC / Si / O.N. Sergeeva, A.V. Solnyshkin, S.I. Gudkov et al. // Physical and chemical aspects of the study of clusters, nanostructures and nanomaterials: Interuniversity collection of proceedings / Ed. by V.M. Samsonov, N.Yu. Sdobnyakov. – Tver: TSU, 2017. – I. 9. – P. 435-441.

Full text (in Russian): download pdf file

Комментарии отключены.