Влияние химической обработки и температуры на поверхностный потенциал монокристаллического кремния КДБ-10 (111)
В.К. Люев, И.В. Люев
ФГБО ВПО «Кабардино-Балкарский государственный университет имени Х. М. Бербекова»
DOI: 10.26456/pcascnn/2015.7.354
Оригинальная статья
Аннотация: Исследованы спектры поверхностной фото-ЭДС при температурах T = 289 – 473 K после обработки в 10% растворе HF . Показано, что удаление оксидного слоя приводит к уменьшению концентрации ПЭС, находящихся на границе раздела кремния с поверхностными пленками. Кроме того, меняется концентрация электронных состояний в самих пленках. Обработка в HF и последующая промывка водой уменьшают концентрацию ловушек, захватывающих неравновесные дырки, что деформирует фотопамять поверхностного потенциала.
Ключевые слова: поверхностный потенциал, монокристаллический кремний, КДБ-10
- Люев Валерий Кашифович – к.ф.-м.н., доцент кафедры материалов и компонентов твердотельной электроники факультета микроэлектроники и компьютерных технологий , ФГБО ВПО «Кабардино-Балкарский государственный университет имени Х. М. Бербекова»
- Люев Ислам Валерьевич – студент 4 курса факультета микроэлектроники и компьютерных технологий, ФГБО ВПО «Кабардино-Балкарский государственный университет имени Х. М. Бербекова»
Ссылка на статью:
Люев, В.К. Влияние химической обработки и температуры на поверхностный потенциал монокристаллического кремния КДБ-10 (111) / В.К. Люев, И.В. Люев // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. — 2015. — Вып. 7. — С. 354-357. DOI: 10.26456/pcascnn/2015.7.354.
Полный текст: загрузить PDF файл
Библиографический список:
1. Остроумова, Е.В. Спектры поверхностных состояний в кремнии p – типа / Е.В. Остроумова // Физика и техника полупроводников. – 1975. – T. 9. – № 8. – С. 1503-1506.
2. Бедный, Б.И. Исследование поверхностной фотоэдс в 2 CdSnP приповерхностном легировании / Б.И. Бедный, А.Н. Калинин, И.А. Карпович, В.В. Подольский // Известия ВУЗов. Физика. – 1980. – № 7. – С. 115-116.
3. Литовченко, В.Г. Влияние внешнего электрического поля на фотопроводимость «чистого» кремния в инфракрасной области / В.Г. Литовченко, В.П. Ковбасюк // Украинский физический журнал. – 1967. – Т. 12. – № 3. – С. 403-412.
4. Литовченко, В.Г. О критерии «сильного легирования» для центров, дающих глубокие уровни, и характере спектра быстрых поверхностных ловушек кремния/ В.Г. Литовченко, В.П. Ковбасюк // Физика и техника полупроводников. – 1969. – Т. 3. – Вып. 6. – С. 870-873.