О перспективах получения и применения аморфных халькогенидных пленок GeSbTe
С.А. Батуркин
ФГБОУ ВПО «Рязанский государственный радиотехнический университет»
DOI: 10.26456/pcascnn/2015.7.101
Оригинальная статья
Аннотация: Данная работа является обзором работ, посвященных структурному переходу халькогенидных пленок GeSbTe из аморфного состояния в кристаллическое и связанному с ним эффекту памяти: длительному сохранению проводящего состояния даже в отсутствие напряжения. Кроме того, представлен обзор результатов автора, связанных с совершенствованием технологии получения многослойных пленок.
Ключевые слова: халькогенидные пленки, составы германий-сурьма-теллур, эффект памяти, полислойные пленки, технология получения
- Батуркин Сергей Александрович – директор центра инновационных коллабораций, ответственный секретарь приемной комиссии, ФГБОУ ВПО «Рязанский государственный радиотехнический университет»
Ссылка на статью:
Батуркин, С.А. О перспективах получения и применения аморфных халькогенидных пленок GeSbTe / С.А. Батуркин // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. — 2015. — Вып. 7. — С. 101-110. DOI: 10.26456/pcascnn/2015.7.101.
Полный текст: загрузить PDF файл
Библиографический список:
1. Matsunaga, T. The order-disorder transition in GeTe: Views from different length- scales / T. Matsunaga, P. Fons, A.V. Kolobov et al. // Applied Physics Letters. – 2011. – V. 99. – I. 23. – P. 231907.
2. Krbal, M. Intrinsic complexity of the melt-quenched amorphous 2 2 5 Ge Sb Te memory alloy / M. Krbal, A.V. Kolobov, P. Fons et al. // Physical Review B. – 2011. – V. 83. – I. 5. – P. 054203-1-054203-8.
3. Sousa, V. Chalcogenide materials and their application to non-volatile memories / V. Sousa // Microelectronic Engineering. – 2011. – V. 88. – I. 5. – P. 807-813.
4. Krebs, D. Characterization of phase change memory materials using phase change bridge devices / D. Krebs, S. Raoux, C.T. Rettner et al. // Journal of Applied Physics. – 2009. – V. 106. – I. 5. – P.054308-1-054308-7.
5. Bruns, G. Nanosecond switching in GeTe phase change memory cells / G. Bruns, P. Merkelbach, C. Schlockermann et al. // Applied Physics Letters. – 2009. – V. 95. – I. 4. – P. 043108-1-043108-3.
6. Lai, S. Current status of the phase change memory and its future / S. Lai // Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International, Washington, USA, 8-10 December 2003: conference publications. – Washington, 2003. – P. 10.1.1 10.1.4.
7. Ha, Y.H. An edge contact type cell for phase change RAM featuring very low power consumption / Y.H. Ha, J.H. Horii, J.H. Park et al. // Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers: conference publications, Kyoto, Japan, 10-12 June 2003. –
Kyoto, 2003. – P. 175-176.
8. Pirovano, A. Scaling analysis of phase-change memory technology / A. Pirovano, L.A. Lacaita, A. Benvenuti et al. // Electron Devices Meeting, 2003. IEDM '03 Technical Digest. IEEE International, Washington, USA, 8-10 December 2003: conference publications. – Washington, 2003. – P. 29.6.1-29.6.4.
9. Czubatyj, W. Properties of small pore ovonic memory devices / W. Czubatyj, S. Kostylev. In book: Physics and Applications of Disordered Materials; ed. by M.A. Popescu. – Bucharest: INOE, 2002. – P. 277-285.
10. Lacaita, L.A. Phase-change memories / L.A. Lacaita, D.J. Wouters // Physica Status Solidi A - Applications and Materials Science. – 2008. – V. 205. – I. 10. – P. 2281-2297.
11. Kresse, G. Ab initio molecular dynamics for liquid metals / G. Kresse, J. Hafner // Physical Review B. – 1993. – V. 47. – I. 1. – P. 558-561.
12. Blochl, P.E. Projector augmented-wave method / P.E. Blochl // Physical Review B. – 1994. – V. 50. – I. 24. – P. 17953-17979.
13. Heyd, J. Hybrid functionals based on a screened Coulomb potential / J. Heyd, G.E. Scuseria, M. Ernzerhof // The Journal of Chemical Physics. – 2003. – V. 118. – I. 18. – P. 8207-8215.
14. Kojima, R. Nitrogen doping effect on phase change optical disks / R. Kojima, S. Okabayashi, T. Kashihara et al. // Japanese Journal of Applied Physics. – 1998. – Vol. 37. – № 4B. – Р. 2098-2103.
15. Horii, H. A novel cell technology using N-doped GeSbTe films for Phase Change RAM / H. Horii, J.H. Yi, J.H. Park et al. // Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers: conference publications, Kyoto, Japan, 10-12 June 2003. – Kyoto, 2003. – Р. 177-178.
16. Privitera, S. Amorphous-to-crystal transition of nitrogen- and oxygen-doped 2 2 5 Ge Sb Te films studied by in situ resistance measurements / S. Privitera, E. Rimini, R. Zonca // Applied Physics Letter. – 2004. – V. 85. – I. 1. – P. 3044-3046.
17. Lee, T.Y. Low thermal conductivity in 2 2 5 x Ge Sb Te SiO – for phase change memory devices / T.Y. Lee, K.H.P. Kim, D.-S. Suh et al. // Applied Physics Letter. – 2009. – V. 94. – I. 24. – Р. 243103-1-243103-3.
18. Lee, T.Y. Separate domain formation in 2 2 5 x Ge Sb Te SiO – mixed layers / T.Y. Lee, S.S. Yim, D.B. Lee et al. // Applied Physics Letters. – 2006. – V. 89. – I. 16. – P. 163503-1-163503-3.