Электронно-стимулированное окисление поверхности поликристаллического таллия
Д.А. Крымшокалова, И.Б. Ашхотова, О.Г. Ашхотов
ФГБОУ ВПО «Кабардино-Балкарский государственный университет им. X. М. Бербекова»
DOI: 10.26456/pcascnn/2014.6.220
Оригинальная статья
Аннотация: В работе с использованием электронной оже-спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронами исследована кинетика адсорбции кислорода на таллии для двух случаев – при непрерывном электронном облучении (100 − 1000 эВ) и без него в зависимости от времени выдержки в среде кислорода при парциальном давлении кислорода 10−6 Торр и комнатной температуре.
Ключевые слова: экспозиция, электроны, энергия, спектроскопия, поверхность окисление, кинетика, облучение, хемосорбция, концентрация, монослой, таллий
- Крымшокалова Джульетта Абугалиевна – аспирант, инженер кафедры компьютерных технологий и интегральных микросхем, ФГБОУ ВПО «Кабардино-Балкарский государственный университет им. X. М. Бербекова»
- Ашхотова Ирина Борисовна – к.т.н., доцент кафедры компьютерных технологий и интегральных микросхем, ФГБОУ ВПО «Кабардино-Балкарский государственный университет им. X. М. Бербекова»
- Ашхотов Олег Газизович – д.ф.-м.н., профессор кафедры компьютерных технологий и интегральных микросхем, ФГБОУ ВПО «Кабардино-Балкарский государственный университет им. X. М. Бербекова»
Ссылка на статью:
Крымшокалова, Д.А. Электронно-стимулированное окисление поверхности поликристаллического таллия / Д.А. Крымшокалова, И.Б. Ашхотова, О.Г. Ашхотов // Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов. - 2014. - Вып. 6. - С. 220-226. DOI: 10.26456/pcascnn/2014.6.220. ⎘
Полный текст: загрузить PDF файл
Библиографический список:
1. Рыбаков, Б.Н. Влияние природы электрода на скорость реакции восстановления анионов / Б.Н. Рыбаков, Г.В. Маслова, Д.И. Залкинд // Защита металлов. − 1970. − № 6. – C. 444-448.
2. Morris, D.E. Synthesis of high quality thallium superconductors at elevated oxygen pressure / D.E. Morris, M.R. Chandrachood, A.P.B. Sinha // Physica C: Superconductivity. − 1991. − V. 175. − I. 1-2. − P. 156-164.
3. Чистяков, Ю.Д. Физико-химические основы технологии микроэлектроники / Ю.Д. Чистяков, Ю.П. Райнова. − М.: Металлургия, 1979. − 408 c.
4. Зашквара, В.В. Электрический энергоанализатор на основе цилиндрического зеркала / В.В. Зашквара, B.C. Редкин, В.Е. Масягин, М.Г. Маратканова // Известия АН Каз.ССР. − 1979. − № 6. − C. 89-90.
5. Бриггс, Д. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Д. Бриггс, М. Сих. − М.: Мир, 1987. – 600 c.
6. Davis, L.E. Handbook Auger electron spectroscopy / L.E. Davis, N.C. MacDonald, P.W. Palmberg et al. – 2nd ed. – Minnesota: Physical Electronics Industries, Eden Plairie, 1976.
7. Большаков, К.А. Химия и технология редких и рассеянных элементов Ч. 1 / К.А.Большаков. − М.: Высшая школа, 1976. – 368 c.
8. Lang, B. AES study of silicon bonding states during oxidation of (111) Si / B. Lang, P. Schooller, B. Carriere // Surface Science. − 1980. – V. 99. − I. 1. − P. 103-111.
9. Meyer, F. The adsorption of oxygen on a clean silicon surface / F. Meyer, J.J. Vrakking // Surface Science. – 1973. – V. 38. – I. 1. – P. 275-281.
10. Ашхотов, О.Г. Влияние электронного облучения на процесс окисления индия / О.Г. Ашхотов, Д.А. Крымшокалова, И.Б. Ашхотова // Журнал технической физики. − 2011. − Т. 81. − Вып. 5. − С. 103-106.